标准 | 《500kV(330kV)干式空心高耦合分裂电抗器技术规范》征求意见稿

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观察到的二次谐波产生(SHG)非常大:标准比已知的磁化感应SHG大几个数量级,并且与迄今为止研究的最佳2D非线性光学材料中的SHG相当。

(d)溶解PS球后,干式高耦规范稿具有表面凹入微结构的PDMS膜。(h-k)通过在玻璃基板上旋涂PVDF/NMP溶液,空心抗器然后加热干燥制备PVDF膜。

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合分(d)PVDF膜的SEM图像和厚度测量。裂电(d)FCPS-MD受力时距离和接触面积变化的示意图。(c)在15Pa的压力下对FCPS-MD4进行的稳定性测试(高达100000个循环),技术部分放大的图片显示了不同循环阶段电容值的变化。

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与此同时,征求该传感器已成功应用于监测各种人体生物信号和机械手的动作,征求在智慧医疗健康、自动语音识别(ASR)等领域的应用表现出良好的应用潜力。标准(m)传感器的集成封装结构。

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【成果简介】近期,干式高耦规范稿中国科学院深圳先进技术研究院朱朋莉研究员、干式高耦规范稿胡友根副研究员共同通讯在NanoEnergy上发表了题为AFlexible,Ultra-HighlySensitiveandStableCapacitivePressureSensorwithConvexMicroarraysforMotionandHealthMonitoring的研究论文(第一作者为中国科学院大学硕士研究生熊耀旭)。

空心抗器(f)FCPS-MD10的受力分析云图。合分b,c)小鼠皮下注射GQDs后的b)明场和c)红色荧光图像。

标签AM和ZZ指的是边缘类型,裂电整数表示芳环的数量。c)通过评估SF763、技术4T1和B16F10细胞与N-B-GQDs孵育72小时后的活力,对N-B-GQDs进行体外细胞毒性研究。

征求MCF-7细胞暴露于不同浓度的游离MTX(暗条)和MTX- (N-GQDs)(浅色条)。标准d)原始GQDs和e)掺硼GQDs在不同激发波长下的UV-vis(黑色)和PL光谱(彩色)。

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